21 декабря, 2021 
adminGWP
IBM и Samsung прeдстaвили нoвую кoнструкцию пoлупрoвoдникoвoгo чипa, пoзвoляющeгo сoкрaтить пoтрeблeниe смaртфoнoм элeктрoэнeргии, пишeт Гoлoс сo ссылкoй нa Hightech.fm.
Прoрывнaя aрxитeктурa прeдусмaтривaeт, чтo трaнзистoры встрoeны в микросхема таким образом, дай тебе пропускать вертикальный перемещение. А значит, устройство становится паче компактным. Так позволяется создать смартфон, какой работает неделями вне подзарядки.
По идее инженеров, современный способ заключается в вертикальном расположении транзисторов в чипах на смену привычного горизонтального. Разработчики считают, чего технология Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) придет возьми смену существующей FinFET. В данном случае энергия подается вертикально, чего заметно оптимизирует ее направл по компонентам чипов.
Соответственно результатам эксперимента специалисты подтвердили, зачем новый подход помогает прогнать потребление электроэнергии. Представители компании отметили, сколько планируют в два раза усовершенствовать производительность или сжать потребление энергии для 85% по сравнению с технологией FinFET.
И благодаря VTFET только и остается обойти ограничения, налагаемые законом Муровина — это осмотр, согласно которому нажин транзисторов удваивается каждые 24 месяца.
Вдоль словам компаний, вследствие VTFET-технологии появятся аккумуляторы с целью смартфонов, которые смогут сп на одной зарядке безлюдный (=малолюдный) один день, а неделю, и будут не в такой степени затратными в задачах почитай криптомайнинга и шифрования данных. Да технология откроет метода к созданию более мощных IoT-устройств и инда космических аппаратов.
&
Опубликовано в рубрике