Samsung показала 6 гб чип памяти LPDDR4

2012. в японской модели Samsung Galaxy S III получил 2 ГБАЙТ ram. В те дни, это было очень много — стандартный 1 ГБ DRAM, которым оснастили, например, американскую модель смартфона. Теперь, однако, мы готовы к началу эпохи флагманов 6 ГБ памяти.

В ходе Samsung Mobile Solutions Forum компания Samsung объявила новый чип LPDDR4 объемом 6 ГБ, который производится в 10 нм техпроцессу. Последнее должно помочь значительно уменьшить потребление памяти.

Говорят, что именно 6 ГБ оперативной памяти, получит Galaxy Note 6, который будет представлен до конца лета. Также это 5,8-дюймовый Super AMOLED дисплей с разрешением 2560х1440 пикселей и аккумулятор емкостью 4000 мач.

Скорее всего, в ближайшие недели и месяцы в сети, который подтверждает эту информацию, — например, утекшие результаты тестов Galaxy Note 6 В AnTuTu или GFXBench.